（原标题：SK海力士的信心：“咱们的HBM比竞争敌手更强”）

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SK hynix 暗示对其高带宽内存（HBM）制造技巧充满信心。该公司强调，其专有的HBM比竞争敌手的家具要庞杂得多，这将使其不才一代半导体封装边界保捏逾越地位。

据6月9日的行业音信开端报谈，SK hynix在5月28日于好意思国丹佛举行的 “ECTC 2024 ”筹商会上先容了这一信息。

SK hynix宣称，该公司剿袭独有的大范围回流-模塑底部填充（MR-MUF）技巧制造的HBM比剿袭热压-非导电薄膜（TC-NCF）制造的家具坚固60%。

SK hynix用尖锐的用具刺穿安设了 HBM 的 DRAM 顶部以产生划痕的要道进行了测试，限度发现其芯片的划痕少于使用 TC-NCF 分娩的芯片。这一限度标明，在波及 HBM 和策画单位组合的异构集成封装历程中，HBM 不错承受外部物理冲击而不影响良品率。

业界觉得，SK hynix 的这篇论文是在强调其 HBM 制造技巧优于三星电子和好意思光科技等竞争敌手。SK hynix是英伟达（NVIDIA）等主要东谈主工智能半导体公司的HBM逾越供应商，并与台积电配合走在先进半导体封装的前沿，展望这些限度将劝诱其主要客户。

SK hynix 还在 ECTC 上展示了其下一代封装技巧 “垂直扇出（VFO）”的缔造情景。这种技巧是在莫得半导体基板的策画单位顶部垂直堆叠四个 LPDDR 存储器，称为扇出晶圆级封装（FOWLP）。

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